Hasta ahora, no ha habido alternativas atractivas al silicio para los transistores. La situación puede que comience a cambiar ahora, gracias a un logro alcanzado por científicos de la Escuela de Ingeniería y Ciencias Aplicadas (SEAS) perteneciente a la Universidad Harvard, y que tiene su sede en Boston, Massachusetts, Estados Unidos.
Usando un óxido correlacionado, concretamente niquelato de samario, el equipo de Shriram Ramanathan ha conseguido un cambio reversible en la resistencia eléctrica de ocho órdenes de magnitud, un resultado que los científicos califican de “colosal”. En pocas palabras, han diseñado este material para que actúe de manera comparable con los mejores conmutadores de silicio.
Dado que los óxidos correlacionados pueden funcionar igual de bien a temperatura ambiente que a unos pocos cientos de grados por encima de ella, sería fácil integrarlos en los actuales dispositivos electrónicos y métodos de fabricación. Por tanto, el avance logrado por el equipo de Ramanathan establece firmemente a los óxidos correlacionados como semiconductores prometedores para futuros circuitos integrados tridimensionales (con arquitectura eléctrica no limitada a las típicas placas de circuitos), así como para dispositivos fotónicos ajustables y adaptativos.
Fuente: http://noticiasdelaciencia.com/not/11491/un-ldquo-material-cuantico-rdquo-para-crear-transistores-mas-pequenos-de-lo-que-permite-la-fisica-del-silicio/
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